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电子技术

参考资料

  • 电路原理
  • 模拟电子技术基础
  • 数字电子技术基础
  • 数字设计
  • Verilog 硬件描述语言

电路分析

基础定律与元件

  • 基尔霍夫定律
    • KCL: \(\sum i_{in} = \sum i_{out}\) (电荷守恒)
    • KVL: \(\sum u_{rise} = \sum u_{drop}\) (能量守恒)
  • 元件特性
    • 电阻: \(U = IR\), 功率 \(P = I^2R\)
    • 电容: \(I = C \frac{du}{dt}\), \(u(t) = u(t_0) + \frac{1}{C} \int_{t_0}^t i d\tau\) (隔直通交)
    • 电感: \(U = L \frac{di}{dt}\), \(i(t) = i(t_0) + \frac{1}{L} \int_{t_0}^t u d\tau\) (通直阻交)

电路分析方法

  • 等效变换
    • 电阻串并联 / \((Y-\Delta)\) 变换
    • 实际电源模型: 电压源串电阻 \(\Leftrightarrow\) 电流源并电阻
  • 一般分析法
    • 支路电流法 (方程数 \(b\))
    • 网孔电流法 (方程数 \(b-n+1\), KVL)
    • 节点电压法 (方程数 \(n-1\), KCL)
  • 主要定理
    • 叠加定理: 线性电路中, 多电源共同作用 = 各电源单独作用代数和 (功率不可叠加)
    • 戴维南定理: 二端网络 \(\Leftrightarrow\) 电压源 \(U_{oc}\) 串联电阻 \(R_{eq}\)
      • \(R_{eq}\) 求法: 独立源置零 (电压短路, 电流开路) 后求入端电阻
    • 诺顿定理: 二端网络 \(\Leftrightarrow\) 电流源 \(I_{sc}\) 并联电阻 \(R_{eq}\)
    • 最大功率传输: \(R_L = R_{eq}\) 时, \(P_{max} = \frac{U_{oc}^2}{4R_{eq}}\)

动态电路 (暂态分析)

TODO

正弦稳态分析

TODO

模拟电子技术

半导体器件

  • PN 结: 单向导电性 (正向导通, 反向截止/击穿)
  • 二极管: 死区电压 / 伏安特性 / 稳压二极管 (工作在反向击穿区)
  • 三极管
    • 电流控制电流 (\(i_C = \beta i_B\))
    • 工作区: 截止 (\(i_B \approx 0\)), 放大 (发射结正偏, 集电结反偏), 饱和 (\(U_{CE}\) 很小)
  • 场效应管
    • 电压控制电流 (\(i_D\)\(u_{GS}\) 控制)
    • 结型 (JFET) / 绝缘栅型 (MOS)
    • 增强型 NMOS: \(u_{GS} > U_{GS(th)}\) 开启

基本放大电路

  • 性能指标: 放大倍数 \(A_u\), 输入电阻 \(R_i\), 输出电阻 \(R_o\), 通频带 \(BW\)
  • 三种组态 (BJT)
    • 共射 (CE): 反相放大, 电压/电流增益大, \(R_i\) 中, \(R_o\) 大 (常用)
    • 共集 (CC / 射极跟随器): 同相, \(A_u \approx 1\), \(R_i\) 大, \(R_o\) 小 (缓冲/隔离)
    • 共基 (CB): 同相, 频带宽

集成运算放大器

  • 理想运放特性
    • 开环增益 \(A_{od} \to \infty\), \(R_{id} \to \infty\), \(R_o \to 0\)
    • 虚短: \(u_+ = u_-\) (线性区成立)
    • 虚断: \(i_+ = i_- = 0\)

反馈

  • 闭环增益: \(A_f = \frac{A}{1 + AF}\)
  • 反馈类型判断
    • 正/负反馈: 瞬时极性法
    • 串联/并联: 反馈信号接输入端方式 (串联分压, 并联分流)
    • 电压/电流: 反馈信号取样对象 (电压反馈稳压, 电流反馈稳流)
  • 负反馈影响
    • 降低增益, 提高稳定性, 展宽频带, 减小非线性失真
    • 改变输入输出电阻 (串联增 \(R_i\), 并联减 \(R_i\); 电压减 \(R_o\), 电流增 \(R_o\))

电源与波形发生

TODO

数字电子技术

逻辑代数基础

  • 基本运算: 与 / 或 / 非 / 与非 / 或非 / 异或 (\(\oplus\)) / 同或 (\(\odot\))
  • 公式与定理
    • 摩根定律: \(\overline{A \cdot B} = \overline{A} + \overline{B}\)
    • 最小项 \(m_i\) (乘积项) 与 最大项 \(M_i\) (和项)
  • 化简方法
    • 公式法
    • 卡诺图: 圈 1 (SOP) 或 圈 0 (POS), 2 的幂次相邻, 包含无关项 (\(d\))

组合逻辑电路

  • 特点: 输出仅取决于当前输入, 无记忆
  • 竞争与冒险: 信号传输延迟导致瞬间错误脉冲 (加选通脉冲 / 修改设计 / 滤波)
  • 常用模块
    • 编码器
    • 译码器
    • 数据选择器: 可实现任意逻辑函数
    • 加法器: 半加器 / 全加器 (\(C_{in}, C_{out}\)) / 超前进位

时序逻辑电路

  • 特点: 输出取决于当前输入和原状态, 有记忆 (反馈/存储)
  • 描述: 状态转换表 / 状态转换图 / 驱动方程 / 状态方程
  • 触发器
类型 特性方程 (\(Q^{n+1}\)) 功能描述
RS \(S + \bar{R}Q^n\) 约束 \(RS=0\), 置 0, 置 1, 保持
D \(D\) 数据传输 (锁存)
JK \(J\bar{Q}^n + \bar{K}Q^n\) 保持, 置 0, 置 1, 翻转
T \(T\oplus Q^n\) T=1 翻转 (计数), T=0 保持
  • 时序电路分类
    • 同步 (统一时钟 CP) vs 异步 (Ripple)
    • Mealy 型 (\(Y = F(X, Q)\)) vs Moore 型 (\(Y = F(Q)\))
  • 常用器件
    • 寄存器: 移位寄存器 (串/并转换)
    • 计数器: 二进制 / 十进制 / 任意进制 (复位法 / 置数法)

脉冲波形的产生与整形

TODO

半导体存储器与转换

  • 存储器
    • RAM (SRAM 速度快/DRAM 电容存电需刷新)
    • ROM (Mask ROM 掩码写死, PROM 默认全一, 可编程一次, EPROM 可反复擦除, EEPROM 更多可擦除次数, Flash 块级擦除 + 字节级编程)
    • 容量扩展: 位扩展 (数据线), 字扩展 (地址线/片选 CS)
  • 数模 / 模数转换
    • DAC: 权电阻网络 / 倒 T 型电阻网络 (常见) / 分辨率 / 建立时间
    • ADC:
      • 并行比较型: 速度最快
      • 逐次逼近型: 性价比高, 常用
      • 双积分型: 精度高, 速度慢, 抗干扰